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原子沉積係統ALD

簡要描述:原裝進口原子沉積係統ALD,源於國外先進的技術。是一種能以原子級精度將薄膜覆蓋沉積到各種基底上的方法。可以根據客戶不用的應用選擇不同的配置,價格優,性能好。

  • 產品型號:IPS
  • 廠商性質:生產廠家
  • 更新時間:2021-03-30
  • 訪  問  量:521

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詳細介紹

品牌自營品牌應用領域能源,冶金,電氣,綜合

原子沉積係統ALD

標準型(Standard )設備

價格低、質量高、可任選附件進行搭配

結構簡單,操作方便,後期維護簡單易行

用途廣,適合各種基底材料

原子沉積係統ALD ——擴展型(Flexivol)設備

腔室體積可根據用戶樣品的尺寸靈活調節,同一腔室可通過簡單的調節適用於不同厚度的樣品

增多前驅體源入口數目,避免腔室體積增大對前驅體化學源氣氛分布的影響

ALD原子層沉積係統——高度定製化(Non-Standard)設備

為工業客戶提供薄膜沉積方案

放大基於標準研究型設備檢驗的相同技術

根據客戶的特殊需求,加工定製,滿足特殊應用及大規模的生產需要

研發(R&D)服務

開發新的薄膜沉積方案

診斷、改進現有ALD的工藝

為潛在的客戶做覆膜演示

薄膜沉積工藝谘詢

原子層沉積係統ALD技術參數

不鏽鋼材質腔室,根據客戶樣品尺寸有不同的腔室直徑(D < 200 mm, D = 200 mm, D > 200 mm)和高度(H = 20 mm, H = 50 mm)可選;前驅體進樣係統標配四路(包含冷和熱兩種前軀體),可配至八路

前驅體進樣係統配有快速氣動閥門

多段溫度控製

前驅體溫控0-200 °C,精度1 °C

腔室溫控0-300 °C ,精度1 °C

進出腔室管路溫控0-150 °C ,精度1 °C

基本壓強 10^−1/10^−3 mbar

設備尺寸 1000x600x1000 mm

觸控控製係統

係統當前狀態信息顯示:氣流速度、溫度、壓力和閥門開度等

工藝監控:溫度和壓力等

偏差報警和安全鎖

菜單操作,實時監控

可增配選項

等離子體發生器    借助等離子化的氣態原子替代水作為氧化物來增強ALD性能

臭氧發生器         提供強氧化劑,增大ALD生長的前驅體選擇範圍

石英晶體微天平    在線監測薄膜沉積的厚度

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